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RAM Speicher PNY MN16GK2D42666 16 GB DDR4

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Wenn Sie sich leidenschaftlich mit IT und Elektronikbeschäftigen, mit der Technologie auf dem neuesten Stand sein wollen und nicht einmal die winzigsten Einzelheiten auslassen, kaufen Sie RAM Speicher PNY MN16GK2D42666 16 GB DDR4.
  • Merkmale: Dual
  • Interner Speicher:
    • 16 GB
    • DDR4
  • Spannung: 1,2 V
  • Verbindung:
    • 260-pin UDIMM
    • 260 pin SO-DIMM
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz
  • Anschluss: SO-DIMM
  • Latenzzeit: CL19
  • RAM Speicher: 16 GB
  • Kompatibel: Notebook
  • Art: DDR4

PNY MN16GK2D42666. Component for: Notebook, Arbeitsspeicher (RAM): 16 GB, Memory layout (modules x size): 2 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, Memory form factor: 260-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 19


  • Arbeitsspeicher (RAM): 16 GB
  • Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 8 GB
  • Interner Speichertyp: DDR4
  • Speichertaktfrequenz: 2666 MHz
  • Component for: Notebook
  • Memory form factor: 260-pin SO-DIMM
  • ECC: Nein
  • Gepufferter Speichertyp: Unregistered (unbuffered)
  • CAS Latenz: 19
  • Speicherkanäle: Dual-channel
  • Speicherspannung: 1.2 V
  • Intel® Extreme Memory Profile (XMP): Nein
PNY
S0230397
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