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Memoria RAM PNY MN16GK2D42666 16 GB DDR4

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Si eres un apasionado de la informática y la electrónica, te gusta estar a la última en tecnología y no perderte detalle, compra Memoria RAM PNY MN16GK2D42666 16 GB DDR4 al mejor precio.
  • Características: Dual
  • Memoria interna:
    • 16 GB
    • DDR4
  • Voltaje: 1,2 V
  • Conexión:
    • 260-pin UDIMM
    • 260 pin SO-DIMM
  • Velocidad: 2666 MHz
  • Conector: SO-DIMM
  • Latencia: CL19
  • Memoria RAM: 16 GB
  • Compatible: Notebook
  • Tipo: DDR4

PNY MN16GK2D42666. Componente para: Portátil, Memoria interna: 16 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 19


  • Memoria interna: 16 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB
  • Tipo de memoria interna: DDR4
  • Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
  • Componente para: Portátil
  • Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM
  • ECC: No
  • Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
  • Latencia CAS: 19
  • Canales de memoria: Dual-channel
  • Voltaje de memoria: 1.2 V
  • Intel® Extreme Memory Profile (XMP): No
PNY
S0230397
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