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Mémoire RAM PNY MN16GK2D42666 16 GB DDR4

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Si vous êtes passionné d'informatique et d'électronique, si vous êtes à la pointe de la technologie et qu'aucun détail ne vous échappe, achetez Mémoire RAM PNY MN16GK2D42666 16 GB DDR4au meilleur prix.
  • Caractéristiques: Dual
  • Mémoire interne:
    • 16 GB
    • DDR4
  • Tension: 1,2 V
  • Connexion:
    • 260-pin UDIMM
    • 260 pin SO-DIMM
  • vitesse: 2666 MHz
  • Connecteur: SO-DIMM
  • Latence: CL19
  • Mémoire RAM: 16 GB
  • Compatible: Ordinateur Portable
  • Type: DDR4

PNY MN16GK2D42666. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 16 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 2 x 8 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM, Latence CAS: 19


  • Mémoire interne: 16 Go
  • Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 2 x 8 Go
  • Type de mémoire interne: DDR4
  • Fréquence de la mémoire: 2666 MHz
  • composant pour: Ordinateur portable
  • Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM
  • ECC: Non
  • Type de mémoire mise en cache: Unregistered (unbuffered)
  • Latence CAS: 19
  • Canaux de mémoire: Dual-channel
  • Mémoire de tension: 1.2 V
  • Module XMP d'Intel®: Non
PNY
S0230397
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